多弧離子真空鍍膜機鍍技術采用什么電弧蒸發呢

發布時間:2013年12月30日

多弧離子真空鍍膜機鍍技術是采用陰極電弧蒸發源的一種離子鍍技術。陰極電弧蒸發源可以是Ti,AI,Zr,Cr等單相靶材,也可以是由它們組成的多相靶材,多弧離子鍍應用面廣,實用性強。除了具有其他各種離子鍍方法的廣泛途外,特別在高速鋼刀具鍍覆TiN等超硬膜層的應用方面的發展最為迅速,并進入了工業化階段。

TiN薄膜由于其具有高硬度、低摩擦系數、良好的化學惰性、獨特的顏色以及良好的生物相容性等,在機械工業、塑料紡織、醫學工業及微電子工業等領域得到廣泛應用,并成為目前工業研究和應用最為廣泛的薄膜材料之一。
TiN膜的制備方法大體可分為:物理氣相沉積(PVD)和化學氣相沉積(CVD),其中PVD應用較多,真空玫瑰金設備也有采用多弧離子鍍、空心陰極離子鍍、等離子體濺射、離子輔助氣相沉積等技術沉積TiN薄膜的報道。多弧離子鍍由于其特有的技術優勢,在TiN超硬膜的沉積方面得到廣泛的重視及應用。多弧離子鍍沉積技術由于 離子能量較其他PVD技術的高,制備的TiN膜層的結合力普遍較高。同時,在鍍膜前進行一定時間的離子轟擊,會使結合力得到更加明顯的提高。

CrN超硬膜因其良好的抗氧化、耐腐蝕、抗磨損性能而受到較多的關注。通常所說的CrN超硬膜,實際上可以泛指Cr的氮化特膜,包括CrN,Cr2N等不同元素酷斃的反應物膜。
與TiN膜的制備方法相近,CrN膜的主要沉積技術有:多弧離子鍍、空心陰極離子鍍、磁控濺射離子鍍、離子輔助氣相沉積等

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